220 câu trắc nghiệm Lý thuyết điều khiển tự động

A. ổn định 

B. không ổn định

C. ở biên giới ổn định 

D. không xác định

A. z = -4 ; p1,2= -1

B. z = 4; p1,2= 1

C. z = 0 ; z = -4 ; p1,2= -1

D. z = 4 ; p1,2= -1

A. ổn định

B. không ổn định

C. ở biên giới ổn định

D. chưa xác định

A. \({K_p} + {K_I}s + \frac{{{K_D}}}{s}\)

B. \({K_p} + \frac{{{K_I}}}{s} + {K_D}s\)

C. \({K_p}s + \frac{{{K_I}}}{s} + {K_D}s\)

D. \(\frac{{{K_p}}}{s} + {K_I} + {K_D}s\)

A. Có tín hiệu vào là tuyến tính theo thời gian

B. Có tín hiệu ra là tuyến tính theo thời gian

C. Được mô tả bởi phương trình vi phân tuyến tính

D. Có tín hiệu ra và tín hiệu vào là tuyến tính theo thời gian

A. Hệ thống phải giữ được trạng thái ổn định khi chịu tác động của tín hiệu vào và chịu ảnh hưởng của tín hiệu ra

B. Hệ thống phải giữ được trạng thái ổn định khi chịu tác động của tín hiệu ra và chịu ảnh hưởng của tín hiệu vào

C. Hệ thống phải giữ được trạng thái ổn định khi chịu tác động của tín hiệu vào và chịu ảnh hưởng của nhiễu lên hệ thống

D. Hệ thống phải giữ được trạng thái ổn định khi chịu tác động của tín hiệu vào và chịu ảnh hưởng của tần  số lên hệ thống

A. \({s_1} = - 1;{\rm{ }}{{\rm{s}}_2} = - 5\)

B. \({s_1} = - 1 + j;{\rm{ }}{{\rm{s}}_2} = - 5 + j3\)

C. \({s_1} = - 1 + j3;{\rm{ }}{{\rm{s}}_2} = - 5 + 2j5\)

D. \({s_1} = - 3;{\rm{ }}{{\rm{s}}_2} = - 2\)

A. \(A = \left[ {\begin{array}{*{20}{c}} 0&1\\ { - 3}&{ - 8} \end{array}} \right]{\rm{ ; B = }}\left[ \begin{array}{l} 20\\ 0 \end{array} \right]{\rm{ ; C = }}\left[ {\begin{array}{*{20}{c}} 1&0 \end{array}} \right]\)

B. \(A = \left[ {\begin{array}{*{20}{c}} 0&1\\ { - 2}&{ - 1} \end{array}} \right]{\rm{ ; B = }}\left[ \begin{array}{l} 0\\ 20 \end{array} \right]{\rm{ ; C = }}\left[ {\begin{array}{*{20}{c}} 1&0 \end{array}} \right]\)

C. \(A = \left[ {\begin{array}{*{20}{c}} 0&1\\ { - 8}&{ - 2} \end{array}} \right]{\rm{ ; B = }}\left[ \begin{array}{l} 0\\ 20 \end{array} \right]{\rm{ ; C = }}\left[ {\begin{array}{*{20}{c}} 1&0 \end{array}} \right]\)

D. \(A = \left[ {\begin{array}{*{20}{c}} 1&1\\ { - 2}&{ - 8} \end{array}} \right]{\rm{ ; B = }}\left[ \begin{array}{l} 20\\ 0 \end{array} \right]{\rm{ ; C = }}\left[ {\begin{array}{*{20}{c}} 1&0 \end{array}} \right]\)

A. \(\frac{{RCs}}{{RCs + 1}}\)

B. \(\frac{1}{{RCs + 1}}\frac{\pi }{3}\)

C. \(1 - RCs\)

D. \(R + RCs\)

A.  Có một ngõ vào một ngõ ra

B. Có tín hiệu ra là phi tuyến theo thời gian

C. Được mô tả bởi phương trình vi phân phi tuyến

D. Nhiều ngõ vào và một ngõ ra

A. Đồ thị biểu diễn đặc tính tần số G(jω) trong hệ toạ độ Đề-các khi thay đổi từ 0→∞

B. Đồ thị biểu diễn đặc tính tần số G(jω) trong hệ toạ độ cực khi ω thay đổi từ  0→∞

C. Đồ thị biểu diễn đặc tính tần số G(jω) trong hệ toạ độ cầu khi thay đổi từ 0→∞

D. Đồ thị biểu diễn đặc tính tần số G(jω) trong hê toạ độ trụ khi ω thay đổi từ 0→∞

A.  Quĩ đạo nghiệm số của hệ kín có xu hướng tiến về phía trục thực, hệ thống sẽ ổn định hơn, độ dự trữ biên và độ dự trữ pha tăng, độ vọt lố giảm

B. Quĩ đạo nghiệm số của hệ kín có xu hướng tiến gần về phía trục ảo, hệ thống sẽ kém ổn định hơn, độ dự trữ biên và độ dự trữ pha tăng, độ vọt lố giảm

C. Quĩ đạo nghiệm số của hệ kín có xu hướng tiến gần về phía trục ảo, hệ thống sẽ kém ổn định hơn, độ dự trữ biên và độ dự trữ pha giảm, độ vọt lố tăng

D. Quĩ đạo nghiệm số của hệ kín có xu hướng tiến gần về phía trục thực, hệ thống sẽ kém ổn định hơn, độ dự trữ biên và độ dự trữ pha giảm, độ vọt lố tăng

A. Quĩ đạo nghiệm số có 1 nhánh

B. Quĩ đạo nghiệm số có 3 nhánh

C. Quĩ đạo nghiệm số có 2 nhánh

D. Quĩ đạo nghiệm số có 4 nhánh

A. Bộ chuyển đổi tín hiệu từ dạng số sang dạng tương tự

B. Bộ khuếch đại tín hiệu

C. Bộ chuyển đổi tín hiệu từ dạng tương tự sang dạng số

D. Bộ thay đổi tần số của tín hiệu vào

A. Bộ chuyển đổi tín hiệu từ dạng số sang dạng tương tự

B. Bộ khuếch đại tín hiệu

C. Bộ chuyển đổi tín hiệu từ dạng tương tự sang dạng số

D. Bộ thay đổi tần số của tín hiệu vào

A. \(\frac{{{G_1}{G_2}{G_3}}}{{1 + {G_1}{G_2}{G_3}{G_4}}}\)

B. \(\frac{{{G_1}{G_2}{G_3}}}{{1 - {G_1}{G_2}{G_3}{G_4}}}\)

C. \(\frac{{{G_1}{G_2}}}{{1 + {G_1}{G_2}{G_3}{G_4}}}\)

D. \(\frac{{{G_1}{G_2}{G_3}}}{{1 + {G_1}{G_2}{G_4}}}\)

A. K>0

B. K>12,5

C. 0<K<1

D. 0<K<0,24

A. Tiêu chuẩn ổn định Routh- Hurwitz; Nyquist-Bode

B. Tiêu chuẩn ổn định Routh- Hurwitz; Nyquist-Bode và phương pháp quỹ đạo nghiệm số

C. Tiêu chuẩn ổn định Routh- Hurwitz; Mikhailov-Nyquist-Bode và phương pháp chia miền ổn định

D. Tiêu chuẩn ổn định tần số, tiêu chuẩn ổn định đại số và phương pháp quỹ đạo nghiệm số

A. Hệ thống ổn định, có 4 nghiệm nằm bên trái mặt phẳng phức

B. Hệ thống không ổn định, có 3 nghiệm bên phải mặt phẳng phức, 1 nghiệm bên trái mặt phẳng phức

C. Hệ thống không ổn định, có 2 nghiệm bên phải mặt phẳng phức, 2 nghiệm bên trái mặt phẳng phức

D. Hệ thống không ổn định, có 1 nghiệm bên phải mặt phẳng phức, 3 nghiệm bên trái mặt phẳng phức

A. Hệ thống ở biên giới ổn định

B. Hệ thống không ổn định

C. Hệ thống ổn định

D. Hệ thống có 3 nghiệm

A. Một khâu trễ pha mắc nối tiếp với một khâu sớm pha

B. Một khâu trễ pha mắc song song với một khâu sớm pha

C. Một khâu trễ pha mắc hồi tiếp với một khâu sớm pha

D. Một khâu trễ pha mắc hỗn hợp với hai khâu sớm pha

A. Rời rạc hóa tín hiệu

B. Tuyến tính hóa tín hiệu

C. Lấy tích phân tín hiệu

D. Lấy vi phân tín hiệu

A. ΦM = 1800

B. ΦM = 1800- φ(-π)

C. ΦM = 900

D. ΦM = 1800+ φ(ωc)

A. Tín hiệu liên tục

B.  Tín hiệu số

C. Sóng  sin

D.  Xung vuông

A. f=1/T

B. f=T

C. fc=1/f

D. ω=2πfc