1000+ Câu hỏi trắc nghiệm kiến trúc máy tính

A. Không tồn tại

B.  – 3 

C. 3

D. 253

A. Cộng hai số dương, cho kết quả âm

B. Cộng hai số âm, cho kết quả dương

C. Có nhớ ra khỏi bit cao nhất

D. Cả a và b

A. 0 -> 2.n

B.  0 -> 2.n - 1

C. 0 -> 2n - 1

D. 0 -> 2n

A. 35

B. -35

C. -37

D. 37

A. 01100000

B. 01010000

C. 10100000

D. 01101000

A. 00101110

B. 01011100

C. 01101110

D. 01011101

A. Để tiện cho việc quản lý

B. Để giảm chi phí khi thiết kế

C. Để giảm thời gian tìm đọc dữ liệu của CPU

D. Cả a,b,c đều đúng

A. 100110110

B. 101010110

C. 100010110

D. 100011110

A. 10000100

B. 11000100

C. 11000010

D. 10001001

A. Thực hiện phép cộng

B. Như là đầu vào của thanh ghi tích lũy

C. Thay đổi logic hoặc số học các từ dữ liệu

D. Tất cả các công việc được kể ở đây.

A. Thanh ghi tích lũy A fc

B. PC

C. Thanh ghi địa chỉ bộ nhớ

D. Thanh ghi lệnh

A. Kết nối ALU với Bus dữ liệu trong của CPU

B. Kết nối thanh ghi với thanh ghi tổng

C. Cách biệt đầu vào và ra của ALU

D. Đảm bảo lưu dữ liệu của thanh ghi tổng

A. Trước

B. Hiện thời

C. Sau đó

D. Luôn luôn ( a,b,c)

A. Bộ nhớ mở rộng

B. Bộ nhớ qui ước

C. Bộ nhớ phân trang

D. Bộ nhớ vùng trên

A. Có thể dùng điện để xoá PROM

B. PROM là loại ROM có thể xoá và ghi lại nhiều lần

C. EPROM là loại ROM có thể xoá và ghi lại nhiều lần

D. Có thể dùng điện để xoá EPROM

A. Các đường địa chỉ là: A0 -> A13

B. Các đường địa chỉ là: D0 -> D13

C. Các đường dữ liệu là: A0 -> A14

D. Các đường dữ liệu là: D1 -> D8

A. SDRAM

B. SRAM

C. DRAM

D. DDRAM

A. 1101

B. 1011

C. 1100

D. 1001

A. D14A0000H

B. C14A0000H

C. B14C0000H

D. A14E0000H

A. 19.75

B. 18.75

C. 19.74

D. 19.76

A. Bộ nhớ bán dẫn động

B. Bộ nhớ bán dẫn tĩnh

C. Bộ nhớ ngoài

D. Bộ nhớ trong

A. Bộ nhớ bán dẫn tĩnh

B. Bộ nhớ ngoài

C. Bộ nhớ trong

D. Bộ nhớ bán dẫn động

A. Nạp địa chỉ hàng của DRAM

B. Nạp địa chỉ cột của DRAM

C. Nạp địa chỉ hàng của SRAM

D. Nạp địa chỉ cột của SRAM

A. 3BCF0

B. 3BDF0

C. 3BCE0

D. 4BCF0

A. Địa chỉ của một đoạn chứa ô nhớ

B. Địa chỉ vật lý của ô nhớ  

C. Địa chỉ lệnh trong đoạn chứa ô nhớ

D. Địa chỉ logic của một ô nhớ

A. ROM

B. PROM

C. EPROM

D. EEPROM

A. RAM vừa tĩnh, vừa động

B. RAM có tốc độ chạy đồng bộ với Bus hệ thống

C. RAM động

D. RAM tĩnh

A. ROM

B. PROM

C. EPROM

D. EEPROM

A. Thời gian dịch chuyển đầu đọc trung bình

B. Thời gian trễ do quay đĩa

C. Thời gian đọc/ghi dữ liệu

D. Cả (a) và (b) đều đúng

A. 80

B. 36

C. 39

D. 40

A. 10

B. 12

C. 15

D. 30

A. 360 Kb

B.  720 Kb

C. 1.2 Mb

D. 1.44 Mb

A. 1 sector

B. 1 track

C. 1 cylinder 

D.  512 bits

A. Fragmented File 

B. Lost Cluster

C. Detached Cluster

D. Cross Linked Cluster

A. Bad

B.  Cross-linked

C. Lost 

D. Fragmented

A. Vị trí của ổ đĩa cứng lắp trên cáp dữ liệu 

B. Dip switches

C. Jumpers 

D. Thiết lập bằng phần mềm

A. Head

B. Track

C. Cylinder

D. Sector

A. Bộ nhớ qui ước

B. Bộ nhớ vùng trên

C. Bộ nhớ vùng cao

D. Bộ nhớ mở rộng

A. Bộ nhớ chỉ đọc

B. Bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên

C. Bộ nhớ chỉ ghi

D. Mất điện không bị mất thông tin

A. Ổ đĩa cứng

B. Đĩa CD-ROM

C. RAM và ROM

D. Cả 3 loại trên

A. ROM

B. PROM

C. EPROM

D. EEPROM

A. 32 chân

B. 128 chân

C. 256 chân

D. 64 chân

A. Khởi động

B. POST

C. Kiểm tra lỗi

D. Nạp hệ điều hành

A. Data bus

B. Data Path Size

C. Data Word Size

D. Data Font Size

A. 123 MB

B. 256 MB

C. 64 MB

D. 512 MB

A. Head

B. Cylinder

C. Sector

D. Cả 3 thông tin trên

A. Phân vùng

B.  Định dạng

C. Lắp đặt vào máy tính 

D. Cả 3 công việc trên

A. FFFh

B.  000h

C. FF7 

D. Một giá trị bất kỳ

A. FFFh 

B. 000h

C. FF7h 

D. Một giá trị bất kỳ

A. Nó không quản lý được ổ đĩa cứng lớn

B. Nó quản lý được ít cluster

C. Kích thước của bảng FAT 32 lớn

D. Quản lý các ổ cứng lớn hơn 2GB đỡ lãng phí hơn FAT16